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SiC晶片的芯片化用傳統(tǒng)工藝難以實現(xiàn)。

SiC（碳化硅）是地球上硬度第3的化合物。新莫氏硬度為13，比SiC還硬的只有金剛石（新莫氏硬度15）和碳化硼（新莫氏硬度14）。正因為SiC晶片具有堅硬的電路板，采用切割工藝時會有切削速度慢、生產(chǎn)率低且崩裂過大的問題，如果采用激光工藝，則會有碎片，或者設(shè)備本身價格過高且光源穩(wěn)定性不能保證的問題。

從設(shè)備開發(fā)階段出發(fā)，如果要穩(wěn)定地進行實現(xiàn)批量生產(chǎn)活躍動向的SiC電路板的芯片化，必須要解決這些問題。

劃線工藝要解決這個難題。

使用TECDIA獨創(chuàng)的研磨技術(shù)進行劃線工具（刀具）的開發(fā)。同時，結(jié)合已開發(fā)的劃線工具（刀具）,還可對劃線工具進行優(yōu)化設(shè)置，成功實現(xiàn)SiC晶片的芯片化。如引入本技術(shù)，可實現(xiàn)高品質(zhì)及高生產(chǎn)率的SiC晶片的芯片化。

*"劃線設(shè)備"與"劃線工具（刀具）"配套系列，只有專注于技術(shù)開發(fā)的TECDIA才能實現(xiàn)的技術(shù)。

以客戶的"目標(biāo)"為目標(biāo)，發(fā)揮TECDIA產(chǎn)品的定制能力。

除了按照客戶提供的樣品進行芯片化之外，認(rèn)真咨詢客戶"您希望得到什么樣的結(jié)果"，聽取更細(xì)致的要求，然后應(yīng)用TECDIA已有技術(shù)的定制能力，這是關(guān)鍵。

本技術(shù)與激光工藝，砂輪式工藝相比，實現(xiàn)了高品質(zhì)作業(yè)，提高了生產(chǎn)效率。推薦使用SiC晶片的芯片化工序。